関連省令／告示

特別管理一般廃棄物及び特別管理産業廃棄物に係る基準の検定方法
〔平成四年七月三日号外厚生省告示第百九十二号〕
　
廃棄物の処理及び清掃に関する法律施行規則（昭和四十六年厚生省令第三十五号）第一条の二第二十四項〔現行＝一条の二第五三項＝平成七年三月厚生令一〇号・一〇年三月三一号・一二年一月二号・一五年三月環境令二号により改正〕の規定に基づき、特別管理産業廃棄物に係る基準の検定方法を次のように定め、平成四年七月四日から適用する。

特別管理一般廃棄物及び特別管理産業廃棄物に係る基準の検定方法
一　廃棄物の処理及び清掃に関する法律施行規則（昭和四十六年厚生省令第三十五号。以下「規則」という。）第一条第三項並びに第一条の二第五項、第九項、第十一項及び第十四項に掲げる基準（規則第一条の二第五項に掲げるものについては、ダイオキシン類（ダイオキシン類対策特別措置法（平成十一年法律第百五号）第二条第一項に規定するダイオキシン類をいう。以下同じ。）に係るものに限る。）の検定方法は、次のイ又はロに掲げる区分に応じ、それぞれ当該イ又はロに定める方法によるものとする。
イ　ばいじん、燃え殻又は汚泥　別表第一に定める方法
ロ　廃酸又は廃アルカリ　日本工業規格Ｋ〇三一二に規定する方法
二　規則第一条の二第二項及び第三項に掲げる基準の検定方法は、日本工業規格Ｋ〇一〇二の十二・一に定める方法によるものとする。
三　規則第一条の二第四項に掲げる基準の検定方法は、廃ＰＣＢ等又はＰＣＢ汚染物を処分するために処理したものについて次のイからトまでに掲げる区分に応じ、それぞれ当該イからトまでに定める方法によるものとする。
イ　廃油（「特別管理一般廃棄物及び特別管理産業廃棄物の処分又は再生の方法として環境大臣が定める方法」（平成四年七月厚生省告示第百九十四号。以下「処理方法告示」という。）第六号に規定する方法により処分又は再生したものに限る。）　別表第二に定める方法
ロ　廃油（処理方法告示第九号に規定する方法により処分又は再生した場合（トリクロロエチレン、テトラクロロエチレン又はこれらと同等以上の洗浄力を有する洗浄液（以下「洗浄液」という。）を循環させて洗浄した場合及び洗浄液に浸漬して洗浄した場合に限る。）における当該処分又は再生に係る洗浄液に限る。）　別表第三の第一に定める方法
ハ　廃酸又は廃アルカリ　「産業廃棄物に含まれる金属等の検定方法」（昭和四十八年二月環境庁告示第十三号。以下「検定方法告示」という。）に定める方法
ニ　紙くず、木くず又は繊維くず（処理方法告示第七号又は第十号に規定する方法のうち、洗浄設備又は分離設備を用いる方法により、処分し、又は再生したものに限る。）　別表第四に定める方法
ホ　廃プラスチック類、金属くず又は陶磁器くず（処理方法告示第八号又は第十一号に規定する方法のうち、洗浄設備を用いる方法により、処分し、又は再生したものに限る）。　別表第三の第一又は第二若しくは第三（水系洗浄の場合にあっては、同表の第二又は第三）に定める方法
ヘ　金属くず又は陶磁器くず（処理方法告示第八号又は第十一号に規定する方法のうち、分離設備を用いる方法により、処分し、又は再生したものに限る。）　別表第三の第二又は第三に定める方法
ト　廃油、廃酸、廃アルカリ、紙くず、木くず、繊維くず、廃プラスチック類、金属くず又は陶磁器くず以外　検定方法告示に定める方法（埋立処分に係る方法に限る。）
四　規則第一条の二第五項、第六項及び第八項から第十三項まで並びに第十五項から第四十八項までに掲げる基準（規則第一条の二第五項に掲げるものについては、ダイオキシン類に係るものを除く。）の検定方法は、検定方法告示に定める方法によるものとする。この場合において、検定しようとする産業廃棄物が燃え殻、汚泥、鉱さい、ばいじん又はこれらの廃棄物を処分するために処理したものである場合は、検定方法告示中埋立処分を行おうとするこれらの産業廃棄物についての規定を適用し、検定しようとする産業廃棄物が廃酸又は廃アルカリである場合は、検定方法告示中海洋投入処分に係るこれらの産業廃棄物についての規定を適用する。
　


前　文〔抄〕〔平成七年三月二八日厚生省告示第五三号〕
平成七年四月一日から適用する。
前　文〔抄〕〔平成一二年一月一四日厚生省告示第六号〕
平成十二年一月十五日から適用する。
前　文〔抄〕〔平成一二年九月二九日厚生省告示第三三三号〕
平成十二年十月一日から適用する。
前　文〔抄〕〔平成一二年一二月二八日厚生省告示第六三三号〕
平成十三年一月六日から適用する。
前　文〔抄〕〔平成一五年三月三日環境省告示第一四号〕
平成十五年四月一日から適用する。
前　文〔抄〕〔平成一六年四月二八日環境省告示第三一号〕
平成十六年四月二十八日から適用する。


別表第一（第一号関係）
（１）　試料採取
施設から排出される試料として代表的な試料を採取する。ばいじん及び燃え殻が分離して排出される焼却施設においては、ばいじん及び燃え殻をそれぞれ採取する。この場合において、焼却施設内でばいじん又は燃え殻を処理するときは、ばいじん又は燃え殻を処理したものを採取する。
ア　排出ピット等から、シャベル、スコップ等の採取具を用いて数箇所から採取し、容器（アルミ製バット等のダイオキシン類の吸着のない材質製のものに限る。）に移し入れ、不燃物等の異物を取り除き、十分に均一化する。
イ　均一化した試料を保存容器（ガラス製等のダイオキシン類の吸着のない材質製のものであって、密封できるものに限る。）に入れる。採取量は、試料の調製後に１５０ｇ程度の試料を確保できる量とする。
ウ　保存容器を密封し、遮光された容器に収納する。
（２）　試料の前処理
ア　試薬
日本工業規格Ｋ０３１１の６．２に規定するものを用いる。
イ　器具及び装置
日本工業規格Ｋ０３１１の６．３に規定するものを用いる。
ウ　試料の調製等
（ア）　試料の調製
�@　灰試料の場合は、５�oの目のふるいを用いてふるい分けし、風乾後、乳鉢中で均一にすりつぶして混合する。
�A　固化物試料の場合は、試料を粒径２�o程度以下まで粉砕する。
�B　汚泥の場合は、試料を湿状のまま秤量する。この場合において、汚泥に含まれる固型分の重量比は、当該汚泥２０ｇ以上１００ｇ以下（Ａｇ）を平型量り瓶（容量５０ｍｌ以上のもので、あらかじめ乾燥したものに限る。）又は蒸発皿（容量１００ｍｌ以上のもので、あらかじめ乾燥したものに限る。）に正確に計り取り、沸騰しないように注意して水分を蒸発させ、１０５℃以上１１０℃以下で２時間程度乾燥させ、デシケーター中で３０分間程度放冷させた後、当該平型量り瓶又は蒸発皿に残留した物質の重量（Ｂｇ）を正確に求め、これを固型分の重量とし、次に掲げる式により求める。
固型分の重量比（％）＝Ｂ／Ａ×１００
（イ）　内標準物質の添加
（ア）の操作により調製した試料２０ｇ以上１００ｇ以下をビーカーに秤取し、日本工業規格Ｋ０３１１の６．４．１に規定する方法により、ダイオキシン類内標準物質を加える。
エ　抽出
（ア）　ウの操作で得られた試料について、日本工業規格Ｋ０３１１の６．４．２ａ）に規定する方法により塩酸処理及び洗浄を行い、ソックスレー抽出を行う。
（イ）　（ア）の操作で得られた塩酸溶液及びメタノール又はアセトン洗浄液を分液漏斗に入れ、溶液１ｌ当たりジクロロメタン５０ｍｌで３回、液―液振とう抽出を行い、硫酸ナトリウムを用いて脱水する。
（ウ）　（ア）及び（イ）の操作で得られた抽出液を合わせて溶媒を加え、一定量とし、抽出液とする。
オ　前処理
（ア）　エの（ウ）の操作で得られた抽出液について、日本工業規格Ｋ０３１１の６．４．４に規定する方法により、硫酸処理―シリカゲルカラムクロマトグラフ操作又は多層シリカゲルカラムクロマトグラフ操作のいずれかの方法により妨害物質を取り除く。
（イ）　日本工業規格Ｋ０３１１の６．４．５に規定する方法によりアルミナカラムクロマトグラフ操作を行い、測定用試料とする。汚泥については、高速液体クロマトグラフ操作又は活性炭カラムクロマトグラフ操作を追加する。
（３）　同定及び定量
ア　測定手順
日本工業規格Ｋ０３１１の７に規定する方法（サンプリングスパイクに係る部分を除く。）により、ダイオキシン類の定量を行う。
イ　相対感度の算出
ダイオキシン類標準溶液を高分離能ガスクロマトグラフに注入して得られたクロマトグラムから、塩素化合物の種類ごとに、次に掲げる式によって相対感度（以下「ＲＲＦ」という。）を算出する。
ＲＲＦ＝（Ａ↓Ｓ×Ｃ↓Ｉ↓Ｓ）／（Ａ↓Ｉ↓Ｓ×Ｃ↓Ｓ）
★（★この式において、Ａ↓Ｓ、Ｃ↓Ｉ↓Ｓ、Ａ↓Ｉ↓Ｓ及びＣ↓Ｓは、それぞれ次の数値を表すものとする。
Ａ↓Ｓ　ダイオキシン類標準物質のクロマトグラムのピーク面積
Ｃ↓Ｉ↓Ｓ　ダイオキシン類標準溶液中のダイオキシン類内標準物質の濃度
Ａ↓Ｉ↓Ｓ　ダイオキシン類内標準物質のクロマトグラムのピーク面積
Ｃ↓Ｓ　ダイオキシン類標準溶液中のダイオキシン類標準物質の濃度★）★
ウ　ダイオキシン類の定量
（ア）　（２）のオで得られた測定用試料を高分離能ガスクロマトグラフに注入して得られたクロマトグラムから、塩素化合物の種類ごとに、次に掲げる式によって試料中の濃度を算出する。
Ｃ↓ｉ＝（Ａ↓Ｓ×Ｉ↓Ｉ↓Ｓ）／（Ａ↓Ｉ↓Ｓ×ＲＲＦ）／Ｗ
★（★この式において、Ｃ↓ｉ、Ａ↓Ｓ、Ｉ↓Ｉ↓Ｓ、Ａ↓Ｉ↓Ｓ及びＷは、それぞれ次の数値を表すものとする。
Ｃ↓ｉ　試料中の当該塩素化合物の濃度（ｎｇ／ｇ−ｄｒｙ）
Ａ↓Ｓ　当該塩素化合物のクロマトグラムのピーク面積
Ｉ↓Ｉ↓Ｓ　試料に添加したダイオキシン類内標準物質の量（ｎｇ）
Ａ↓Ｉ↓Ｓ　当該塩素化合物に対応するダイオキシン類内標準物質のクロマトグラムのピーク面積
Ｗ　試料の採取量（ｇ−ｄｒｙ）★）★
（イ）　ダイオキシン類内標準物質の回収率が５０％以上１２０％以下の範囲内であることを確認し、回収率が範囲外であるときは、再度前処理を行い測定する。
エ　毒性等量への換算
次に掲げる式により試料中のダイオキシン類の濃度を２，３，７，８―テトラクロロジベンゾ―パラ―ジオキシンの毒性に換算する。この場合において、それぞれの塩素化合物の濃度が定量下限未満であるときは、当該塩素化合物の濃度は０として計算する。
Ｃ＝ΣＣ↓ｉ×ＴＥＱ↓ｉ
★（★この式において、Ｃ、Ｃ↓ｉ、ＴＥＱ↓ｉは、それぞれ次の数値を表すものとする。
Ｃ　ダイオキシン類の毒性等量（ｎｇ―ＴＥＱ／ｇ―ｄｒｙ）
Ｃ↓ｉ　３の（３）のアで得られた塩素化合物の種類ごとの濃度（ｎｇ／ｇ―ｄｒｙ）
ＴＥＱ↓ｉ　ダイオキシン類対策特別措置法施行規則（平成１１年総理府令第６７号）別表第三の中欄に掲げる塩素化合物ごとにそれぞれ同表の下欄に掲げる係数★）★
　


別表第二（第三号イ関係）
（１）　試薬（ＰＣＢの分析に妨害を生じないものに限る。）
ア　ノルマルヘキサン
イ　トルエン
ウ　１０％トルエン含有ノルマルヘキサン溶液
エ　ジメチルスルホキシド（以下「ＤＭＳＯ」という。）
オ　ノルマルヘキサン飽和のＤＭＳＯ
カ　ヘキサン洗浄水
蒸留水をノルマルヘキサンで十分に洗浄したもの
キ　水酸化カリウム
ク　２ｍｏｌ／ｌ水酸化カリウム水溶液
ケ　硫酸ナトリウム（無水）
コ　濃硫酸
サ　シリカゲル
メタノールで洗浄したカラムクロマトグラフ用シリカゲルを、層の厚さが１０�o以下になるようにビーカーに入れ、約１３０℃で１８時間乾燥させた後、デシケーター内で放冷したもの
シ　ノルマルデカン
ス　２％水酸化カリウム被覆シリカゲル
シリカゲルに１ｍｏｌ／ｌ水酸化カリウム水溶液を加え、ロータリーエバポレーターを用いて約５０℃で減圧脱水し水分を除去した後、８０℃で１時間減圧脱水し、粉末状にしたものであって、シリカゲルに対して水酸化カリウムを２ｗ／ｗ％となるよう調製したもの
セ　４４％硫酸被覆シリカゲル
シリカゲルに濃硫酸を４４ｗ／ｗ％となるように加え、十分振とうし、粉末状にしたもの
ソ　２２％硫酸被覆シリカゲル
シリカゲルに濃硫酸を２２ｗ／ｗ％となるように加え、十分振とうし、粉末状にしたもの
タ　４０％硝酸銀水溶液
チ　１０％硝酸銀被覆シリカゲル
シリカゲルに４０％硝酸銀水溶液を加え、ロータリーエバポレーターを用いて約５０℃で減圧脱水し水分を除去した後、８０℃で１時間減圧脱水し、粉末状にしたものであって、シリカゲルに対して硝酸銀を１０ｗ／ｗ％となるよう調製したもの
ツ　ペルフルオロケロセン
質量分析用高沸点成分であるもの
テ　ＰＣＢ標準物質
塩素化合物のうち４―Ｍ↓１ＣＢ、２，４’―Ｄ↓２ＣＢ、２，４，４’―Ｔ↓３ＣＢ、２，２’，５，５’―Ｔ↓４ＣＢ、２，２’，４，５，５’―Ｐ↓５ＣＢ、２，３’，４，４’，５―Ｐ↓５ＣＢ、２，２’，３，４，４’，５’―Ｈ↓６ＣＢ、２，２’，４，４’，５，５’―Ｈ↓６ＣＢ、２，２’，３，４，４’，５，５’―Ｈ↓７ＣＢ、２，２’，３，３’，４，４’，５，５’―Ｏ↓８ＣＢ、２，２’，３，３’，４，４’，５，５’，６―Ｎ↓９ＣＢ及び２，２’，３，３’，４，４’，５，５’，６，６’―Ｄ↓１↓０ＣＢ
ト　ＰＣＢ内標準物質
ＰＣＢ標準物質のＣ（１３）体
ナ　ＰＣＢ標準溶液
ＰＣＢ標準物質及びＰＣＢ内標準物質をトルエン又はノルマルデカンに溶かしたもので、ＰＣＢ内標準物質の濃度が４０ｐｇ／μｌ以上１００ｐｇ／μｌ以下程度で一定であり、ＰＣＢ標準物質の濃度が０．５ｐｇ／μｌ以上１ｎｇ／μｌ以下の範囲内で５段階となるよう設定したもの
ニ　ＰＣＢ同定用物質
試験用ＰＣＢのＫＣ―３００、ＫＣ―４００、ＫＣ―５００及びＫＣ―６００を重量比１対１対１対１の割合で混合したもの
（２）　器具及び装置（試薬とともに空試験を行い、ＰＣＢの分析に影響を及ぼす妨害成分を含まないことが確認されたものに限る。）
ア　試験管
容量が１０ｍｌ及び２０ｍｌのもの
イ　ナス型フラスコ
容量が３００ｍｌ又は５００ｍｌのもの
ウ　分液漏斗
容量が３００ｍｌのもの
エ　漏斗
オ　カラムクロマトグラフ用ガラス管（以下「クロマト管」という。）
内径１０�o及び長さ３００�o並びに内径１５�o及び長さ３００�oのコック付きガラス管
カ　マイクロピペット又はホールピペット
キ　駒込ピペット
ク　濃縮器
クデルナダニッシュ濃縮器又はロータリーエバポレーター
ケ　高分離能ガスクロマトグラフ
（ア）　試料導入部
スプリットレス方式で温度を２５０℃以上２８０℃以下にできるもの又はオンカラム方式で温度を１５０℃以上３００℃以下にできるもの
（イ）　カラム
内径０．２５�o以上０．３２�o以下及び長さ２５ｍ以上６０ｍ以下のキャピラリーカラム（ＰＣＢ塩素化合物の溶出順位の判明しているものに限る。）
（ウ）　キャリアーガス
純度９９．９９９％以上のヘリウム又は水素
（エ）　カラム温度
８０℃以上３００℃以下の間で温度を一定に保つことができ、１分間に２０℃以上の昇温ができるもの
コ　高分解能質量分析計
次の条件を満たしているもの
（ア）　二重収束形で、１０，０００以上の分解能で測定できるものであって、ペルフルオロケロセンを用いたロックマス方式による選択イオンモニタリング法（以下「ＳＩＭ法」という。）で測定できるもの
（イ）　イオン源温度を２５０℃以上に保つことができ、衝撃イオン化方式が可能で、ＳＩＭ法における磁場の周期を最大１秒以上にできるもの
（ウ）　Ｔ↓４ＣＢのうち１種類のＰＣＢ塩素化合物の標準溶液を高分離能ガスクロマトグラフに注入し、０．２ｐｇのＴ↓４ＣＢを検出できるもの
（３）　測定手順
ア　次に掲げる操作により抽出を行う。
（ア）　試料約１ｇを秤量し、ノルマルヘキサン２０ｍｌ又は１０％トルエン含有ノルマルヘキサン溶液２０ｍｌに溶かす。このうち２ｍｌを分取し、（１）テに掲げるＰＣＢ標準物質ごとにＰＣＢ内標準物質１ｎｇを加える。
（イ）　分液漏斗にノルマルヘキサン飽和のＤＭＳＯ２５ｍｌを入れ、これに（ア）の操作で得られた試料を８ｍｌのノルマルヘキサンで洗浄しながら移し入れ、振とう抽出を４回行って得られた合計約１００ｍｌのＤＭＳＯ抽出液に、ノルマルヘキサン４０ｍｌを加え、残存する油分を除去する。
（ウ）　分液漏斗にノルマルヘキサン７５ｍｌ及びヘキサン洗浄水１００ｍｌを入れ、（イ）の操作で得られたＤＭＳＯ抽出液約１００ｍｌを加え、振とう抽出を３回行う。
（エ）　（ウ）の操作で得られた合計約２２５ｍｌのノルマルヘキサンを分液漏斗に入れ、２ｍｏｌ／ｌ水酸化カリウム水溶液１０ｍｌによる洗浄を行う。さらに、水２５ｍｌで２回洗浄し、硫酸ナトリウム（無水）で脱水した後、濃縮器で１ｍｌに濃縮する。
イ　次のいずれかの方法により前処理を行う。なお、いずれの方法による場合であっても、ＰＣＢ内標準物質が十分に回収されていることを確認すること。
（ア）　ア（エ）の操作で得られた濃縮液をノルマルヘキサン５０ｍｌ以上１５０ｍｌ以下で洗浄しながら分液漏斗に移し入れ、濃硫酸を適量加える。穏やかに振とうし、静置した後、硫酸層を除去する。この操作を硫酸層の着色が薄くなるまで繰り返す。ノルマルヘキサン層をヘキサン洗浄水５０ｍｌずつでほぼ中性になるように洗浄し、硫酸ナトリウム（無水）で脱水した後、濃縮器で約５ｍｌに濃縮し、更に窒素気流により約１ｍｌに濃縮する。内径１０�o及び長さ３００�oのクロマト管にシリカゲル３ｇをノルマルヘキサンで湿式充てんし、その上に硫酸ナトリウム（無水）を約１０�o重層する。受器をクロマト管下端においた後、得られた試料を濃縮器からクロマト管に移し入れ、ノルマルヘキサン１５０ｍｌを流下させて流出液を得る。流出液は濃縮器で約５ｍｌに濃縮し、ノルマルデカン又はトルエン１００μｌを加えた後、窒素気流により約１００μｌに濃縮する。
（イ）　内径１５�o及び長さ３００�oのクロマト管にシリカゲル０．９ｇ、２％水酸化カリウム被覆シリカゲル３ｇ、シリカゲル０．９ｇ、４４％硫酸被覆シリカゲル４．５ｇ、２２％硫酸被覆シリカゲル６ｇ、シリカゲル０．９ｇ、１０％硝酸銀被覆シリカゲル３ｇ及び硫酸ナトリウム（無水）６ｇを順次充てんし、ノルマルヘキサンで充てん剤を十分洗浄する。受器をクロマト管下端においた後、ア（エ）の操作で得られた濃縮液をクロマト管に移し入れ、ノルマルヘキサン１２０ｍｌを流下させて流出液を得る。流出液は、濃縮器で約５ｍｌに濃縮し、ノルマルデカン又はトルエン１００μｌを加えた後、窒素気流により約１００μｌに濃縮する。
ウ　ＰＣＢ標準溶液を高分離能ガスクロマトグラフに注入し、得られたクロマトグラムから、ＰＣＢ塩素化合物の種類ごとに、次に掲げる式によって相対感度係数（以下「ＲＲＦ」という。）を算出する。ＰＣＢ塩素化合物のうち５塩化物及び６塩化物のＲＲＦについては、２種類の標準物質のクロマトグラムから算出されたＲＲＦの平均値とする。
ＲＲＦ＝（Ａ↓Ｓ×Ｃ↓Ｉ↓Ｓ）／（Ａ↓Ｉ↓Ｓ×Ｃ↓Ｓ）
★（★この式において、Ａ↓Ｓ、Ｃ↓Ｉ↓Ｓ、Ａ↓Ｉ↓Ｓ及びＣ↓Ｓはそれぞれ次の数値を示すものとする。
Ａ↓Ｓ　ＰＣＢ標準物質のクロマトグラムのピーク面積
Ｃ↓Ｉ↓Ｓ　ＰＣＢ標準溶液中のＰＣＢ内標準物質の濃度
Ａ↓Ｉ↓Ｓ　ＰＣＢ内標準物質のクロマトグラムのピーク面積
Ｃ↓Ｓ　ＰＣＢ標準溶液中のＰＣＢ標準物質の濃度★）★
エ　イの操作で得られた濃縮液を高分離能ガスクロマトグラフに注入し、得られたクロマトグラムから、ＰＣＢ塩素化合物の種類ごとに、次に掲げる式によって試料中の濃度を算出する。なお、ＰＣＢ塩素化合物の同定に当たっては、相対溶出時間及びピークにおける同位体比がＰＣＢ標準物質及びＰＣＢ同定用物質のものとほぼ同等であること。
Ｃ＝（Ａ↓Ｓ×Ｉ↓Ｓ）／（Ａ↓Ｉ↓Ｓ×ＲＲＦ）／Ｗ
★（★この式において、Ｃ、Ａ↓Ｓ、Ｉ↓Ｓ、Ａ↓Ｉ↓Ｓ及びＷはそれぞれ次の数値を表すものとする。
Ｃ　当該塩素化合物の濃度（ｎｇ／ｇ）
Ａ↓Ｓ　当該塩素化合物のクロマトグラムのピーク面積
Ｉ↓Ｓ　試料に添加したＰＣＢ内標準物質の量（ｎｇ）
Ａ↓Ｉ↓Ｓ　当該塩素化合物に対応するＰＣＢ内標準物質のクロマトグラムのピーク面積
Ｗ　試料量（ｇ）★）★
オ　廃油中のＰＣＢ濃度は、エで得られた塩素化合物の濃度の総和とする。
カ　廃油中のＰＣＢ濃度の算出に当たっては、同様の試験操作を行った空試験の結果が試料の測定値に影響しないレベルであることを確認すること。

別表第三（第三号ロ、ホ及びヘ関係）
第一　洗浄液試験法
（１）　試薬（ＰＣＢの分析に妨害を生じないものに限る。）
ア　ノルマルヘキサン
イ　トルエン
ウ　１０％トルエン含有ノルマルヘキサン溶液
エ　ＤＭＳＯ
オ　ノルマルヘキサン飽和のＤＭＳＯ
カ　ヘキサン洗浄水
蒸留水をノルマルヘキサンで十分に洗浄したもの
キ　２ｍｏｌ／ｌ水酸化カリウム水溶液
ク　硫酸ナトリウム（無水）
ケ　濃硫酸
コ　シリカゲル
メタノールで洗浄したカラムクロマトグラフ用シリカゲルを、層の厚さが１０�o以下になるようにビーカーに入れ、約１３０℃で１８時間乾燥させた後、デシケーター内で放冷したもの
（２）　器具及び装置（試薬とともに空試験を行い、ＰＣＢの分析に影響を及ぼす妨害成分を含まないことが確認されたものに限る。）
ア　分液漏斗
イ　濃縮器
ウ　フラスコ
エ　漏斗
オ　ピペット
カ　クロマト管
内径１０�o及び長さ３００�oのコック付きガラス管
（３）　試験操作
ア　試料溶液の調製
洗浄液１ｇをノルマルヘキサンで希釈した溶液５ｍｌ又は洗浄液５ｍｌを試料溶液とする。
イ　ガスクロマトグラフによる分析
アで得られた試料溶液「水質汚濁に係る環境基準について」（昭和４６年１２月環境庁告示第５９号。以下「水質環境基準」という。）の付表３の３（７）に定める方法によりガスクロマトグラフに注入して分析し、次に掲げる式により洗浄液中のＰＣＢ濃度（�r／�s）を求める。
●ＰＣＢ濃度（�r／�s）＝ＰＣＢ標準液の濃度（�r／ｌ）×ＰＣＢ標準液注入量（μｌ）試料溶液注入量（μｌ）×ΣＣＢ↓２（％）ΣＣＢ↓０（％）×試料溶液の量（ｍｌ）試料採取量（ｇ）●
備考
洗浄液に含まれる油分等の妨害物質により分析に支障を与えるおそれがある場合には、以下により前処理を行った上で試料溶液とする。
ア　ＤＭＳＯ分配
（ア）　試料として採取した洗浄液１ｇをノルマルヘキサン２０ｍｌ又は１０％トルエン含有ノルマルヘキサン溶液２０ｍｌで希釈する。
（イ）　分液漏斗にノルマルヘキサン飽和のＤＭＳＯ２５ｍｌを入れ、これに（ア）の試料２０ｍｌを加え、振とう抽出を４回行って得られた合計約１００ｍｌのＤＭＳＯ抽出液に、ノルマルヘキサン４０ｍｌを加え、残存する油分を除去する。
（ウ）　分液漏斗にノルマルヘキサン７５ｍｌ及びヘキサン洗浄水１００ｍｌを入れ、（イ）の操作で得られたＤＭＳＯ抽出液約１００ｍｌを加え、振とう抽出を３回行う。
（エ）　（ウ）の操作で得られた合計約２２５ｍｌのノルマルヘキサンを分液漏斗に入れ、２ｍｏｌ／ｌ水酸化カリウム水溶液１０ｍｌによる洗浄を行う。さらに、水２５ｍｌで２回洗浄し、硫酸ナトリウム（無水）で脱水した後、濃縮器で１ｍｌに濃縮する。
イ　硫酸処理及びシリカゲルカラムクロマトグラフ処理
（ア）　ア（エ）の操作で得られた濃縮液をノルマルヘキサン５０ｍｌ以上１５０ｍｌ以下で洗浄しながら分液漏斗に移し入れ、濃硫酸を適量加える。穏やかに振とうし、静置した後、硫酸層を除去する。この操作を硫酸層の着色が薄くなるまで繰り返す。
（イ）　ノルマルヘキサン層をヘキサン洗浄水５０ｍｌずつでほぼ中性になるように洗浄し、硫酸ナトリウム（無水）で脱水した後、濃縮器で約５ｍｌに濃縮し、更に窒素気流により約１ｍｌに濃縮する。
（ウ）　クロマト管にシリカゲル３ｇをノルマルヘキサンで湿式充てんし、その上に硫酸ナトリウム（無水）を約１０�o重層する。これに（イ）の操作で得られた濃縮液を移し入れ、ノルマルヘキサン１５０ｍｌを流下させて流出液を得る。
（エ）　流出液は濃縮器で約５ｍｌに濃縮し、必要に応じて更に濃縮する。
（４）　判定
（３）で求めた洗浄液中のＰＣＢ濃度が０．５�r／�s以下であること。
備考
この試験方法における用語、試薬、器具及び装置その他の事項でこの試験方法に定めがないものについては、水質環境基準の付表３に定めるところによる。
第二　拭き取り試験法
（１）　試薬（ＰＣＢの分析に妨害を生じないものに限る。）
ア　ノルマルヘキサン
イ　ＤＭＳＯ
ウ　ノルマルヘキサン飽和のＤＭＳＯ
エ　ヘキサン洗浄水
蒸留水をノルマルヘキサンで十分に洗浄したもの
オ　２ｍｏｌ／ｌ水酸化カリウム水溶液
カ　硫酸ナトリウム（無水）
キ　濃硫酸
ク　シリカゲル
メタノールで洗浄したカラムクロマトグラフ用シリカゲルを、層の厚さが１０�o以下になるようにビーカーに入れ、約１３０℃で１８時間乾燥された後、デシケーター内で放冷したもの
ケ　脱脂綿
コ　ガラス繊維
（２）　器具及び装置（試薬とともに空試験を行い、ＰＣＢの分析に影響を及ぼす妨害成分を含まないことが確認されたものに限る。）
ア　分液漏斗
イ　濃縮器
ウ　フラスコ
エ　漏斗
オ　ピペット
カ　クロマト管
内径１０�o及び長さ３００�oのコック付きガラス管
（３）　試験操作
ア　試料の採取
ノルマルヘキサンを染み込ませた脱脂綿等により廃プラスチック類、金属くず又は陶磁器くずの表面５００�p↑２を拭き取る。
イ　抽出
（ア）　フラスコにアで得られた脱脂綿等を入れ、更にノルマルヘキサン５０ｍｌを加え、激しく振とうし、静置した後、ガラス繊維を敷いた漏斗でろ過し、ろ液を別のフラスコに入れる。
（イ）　フラスコ内容物をノルマルヘキサン２０ｍｌずつで３回洗い、洗浄液をろ過して、（ア）の操作で得られたろ液と混ぜ、これを濃縮器で２５ｍｌに濃縮する。
ウ　ＤＭＳＯ分配
（ア）　分液漏斗にノルマルヘキサン飽和のＤＭＳＯ２５ｍｌを入れ、これにイの操作で得られた試料を加え、振とう抽出を４回行って得られた合計約１００ｍｌのＤＭＳＯ抽出液に、ノルマルヘキサン４０ｍｌを加え、残存する油分を除去する。
（イ）　分液漏斗にノルマルヘキサン７５ｍｌ及びヘキサン洗浄水１００ｍｌを入れ、（ア）の操作で得られたＤＭＳＯ抽出液約１００ｍｌを加え、振とう抽出を３回行う。
（ウ）　（イ）の操作で得られた合計約２２５ｍｌのノルマルヘキサンを分液漏斗に入れ、２ｍｏｌ／ｌ水酸化カリウム水溶液１０ｍｌによる洗浄を行う。さらに、水２５ｍｌで２回洗浄し、硫酸ナトリウム（無水）で脱水した後、濃縮器で１ｍｌに濃縮する。
エ　硫酸処理及びシリカゲルカラムクロマトグラフ処理
（ア）　ウ（ウ）の操作で得られた濃縮液をノルマルヘキサン５０ｍｌ以上１５０ｍｌ以下で洗浄しながら分液漏斗に移し入れ、濃硫酸を適量加える。穏やかに振とうし、静置した後、硫酸層を除去する。この操作を硫酸層の着色が薄くなるまで繰り返す。
（イ）　ノルマルヘキサン層をヘキサン洗浄水５０ｍｌずつでほぼ中性になるように洗浄し、硫酸ナトリウム（無水）で脱水した後、濃縮器で約５ｍｌに濃縮し、更に窒素気流により約１ｍｌに濃縮する。
（ウ）　クロマト管にシリカゲル３ｇをノルマルヘキサンで湿式充てんし、その上に硫酸ナトリウム（無水）を約１０�o重層する。これに（イ）の操作で得られた濃縮液を移し入れ、ノルマルヘキサン１５０ｍｌを流下させて流出液を得る。
（エ）　流出液は濃縮器で約５ｍｌに濃縮し、必要に応じて更に濃縮する。
オ　ガスクロマトグラフによる分析
エの操作で得られた試料溶液を水質環境基準の付表３の３（７）に定める方法によりガスクロマトグラフに注入して分析し、次に掲げる式により廃プラスチック類、金属くず又は陶磁器くずへのＰＣＢの付着量（μｇ／１００�p↑２）を求める。
●ＰＣＢ表面付着量（μｇ／１００�p↑２）＝ＰＣＢ標準液の濃度（�r／ｌ）×ＰＣＢ標準液注入量（μｌ）試料溶液注入量（μｌ）×ΣＣＢ↓２（％）ΣＣＢ↓０（％）×試料溶液の量（ｍｌ）試料採取面積（�p↑２）×１００●
（４）　判定
（３）で求めた廃プラスチック類、金属くず又は陶磁器くずへのＰＣＢの付着量が０．１μｇ／１００�p↑２以下であること。
備考
この試験方法における用語、試薬、器具及び装置その他の事項でこの試験方法に定めがないものについては、水質環境基準の付表３に定めるところによる。
第三　部材採取試験法
（１）　試薬（ＰＣＢの分析に妨害を生じないものに限る。）
ア　ノルマルヘキサン
イ　ＤＭＳＯ
ウ　ノルマルヘキサン飽和のＤＭＳＯ
エ　ヘキサン洗浄水
蒸留水をノルマルヘキサンで十分に洗浄したもの
オ　２ｍｏｌ／ｌ水酸化カリウム水溶液
カ　硫酸ナトリウム（無水）
キ　濃硫酸
ク　シリカゲル
メタノールで洗浄したカラムクロマトグラフ用シリカゲルを、層の厚さが１０�o以下になるようにビーカーに入れ、約１３０℃で１８時間乾燥させた後、デシケーター内で放冷したもの
ケ　ガラス繊維
（２）　器具及び装置（試薬とともに空試験を行い、ＰＣＢの分析に影響を及ぼす妨害成分を含まないことが確認されたものに限る。）
ア　分液漏斗
イ　濃縮器
ウ　フラスコ
エ　漏斗
オ　ピペット
カ　クロマト管
内径１０�o及び長さ３００�oのコック付きガラス管
（３）　試験操作
ア　試料の採取
ＰＣＢ汚染物から体積約１�p↑３以下の直方体約５０ｇを切り取り、これらを秤量し、試験試料とする。
イ　抽出
（ア）　フラスコにアで得られた試験試料を入れ、更にノルマルヘキサン５０ｍｌ（試料の容量に応じて増加させる）を加え、超音波洗浄器等を用いて十分に抽出し、ガラス繊維を敷いた漏斗でろ過し、ろ液を別のフラスコに入れる。
（イ）　フラスコ内容物をノルマルヘキサン２０ｍｌずつで３回洗い、洗浄液をろ過して、（ア）の操作で得られたろ液と混ぜ、これを濃縮器で２５ｍｌに濃縮する。
ウ　ＤＭＳＯ分配
（ア）　分液漏斗にノルマルヘキサン飽和のＤＭＳＯ２５ｍｌを入れ、これにイの操作で得られた試料を加え、振とう抽出を４回行って得られた合計約１００ｍｌのＤＭＳＯ抽出液に、ノルマルヘキサン４０ｍｌを加え、残存する油分を除去する。
（イ）　分液漏斗にノルマルヘキサン７５ｍｌ及びヘキサン洗浄水１００ｍｌを入れ、（ア）の操作で得られたＤＭＳＯ抽出液約１００ｍｌを加え、振とう抽出を３回行う。
（ウ）　（イ）の操作で得られた合計約２２５ｍｌのノルマルヘキサンを分液漏斗に入れ、２ｍｏｌ／ｌ水酸化カリウム水溶液１０ｍｌによる洗浄を行う。さらに、水２５ｍｌで２回洗浄し、硫酸ナトリウム（無水）で脱水した後、濃縮器で１ｍｌに濃縮する。
エ　硫酸処理及びシリカゲルカラムクロマトグラフ処理
（ア）　ウ（ウ）の操作で得られた濃縮液をノルマルヘキサン５０ｍｌ以上１５０ｍｌ以下で洗浄しながら分液漏斗に移し入れ、濃硫酸を適量加える。穏やかに振とうし、静置した後、硫酸層を除去する。この操作を硫酸層の着色が薄くなるまで繰り返す。
（イ）　ノルマルヘキサン層をヘキサン洗浄水５０ｍｌずつでほぼ中性になるように洗浄し、硫酸ナトリウム（無水）で脱水した後、濃縮器で約５ｍｌに濃縮し、更に窒素気流により約１ｍｌに濃縮する。
（ウ）　クロマト管にシリカゲル３ｇをノルマルヘキサンで湿式充てんし、その上に硫酸ナトリウム（無水）を約１０�o重層する。これに（イ）の操作で得られた濃縮液を移し入れ、ノルマルヘキサン１５０ｍｌを流下させて流出液を得る。
（エ）　流出液は濃縮器で約５ｍｌに濃縮し、必要に応じて更に濃縮する。
オ　ガスクロマトグラフによる分析
エの操作で得られた試料溶液を水質環境基準の付表３の３（７）に定める方法によりガスクロマトグラフに注入して分析し、次に掲げる式により廃プラスチック類、金属くず又は陶磁器くずへのＰＣＢの付着量（�r／�s）を求める。
●ＰＣＢ部材付着量（�r／�s）＝ＰＣＢ標準液の濃度（�r／ｌ）×ＰＣＢ標準液注入量（μｌ）試料溶液注入量（μｌ）×ΣＣＢ↓２（％）ΣＣＢ↓０（％）×試料溶液の量（ｍｌ）試料採取量（ｇ）●
（４）　判定
（３）で求めた廃プラスチック類、金属くず又は陶磁器くずへのＰＣＢの付着量が０．０１�r／�s以下であること。
備考
この試験方法における用語、試薬、器具及び装置その他の事項でこの試験方法に定めがないものについては、水質環境基準の付表３に定めるところによる。
　


別表第四（第三号ニ関係）
（１）　試薬（ＰＣＢの分析に妨害を生じないものに限る。）
ア　ノルマルヘキサン
イ　アセトン
ウ　トルエン
エ　ＤＭＳＯ
オ　ノルマルヘキサン飽和のＤＭＳＯ
カ　ヘキサン洗浄水
蒸留水をノルマルヘキサンで十分に洗浄したもの
キ　２ｍｏｌ／ｌ水酸化カリウム水溶液
ク　硫酸ナトリウム（無水）
ケ　濃硫酸
コ　シリカゲル
メタノールで洗浄したカラムクロマトグラフ用シリカゲルを、層の厚さが１０�o以下になるようにビーカーに入れ、約１３０℃で１８時間乾燥させた後、デシケーター内で放冷したもの
（２）　器具及び装置（試薬とともに空試験を行い、ＰＣＢの分析に影響を及ぼす妨害成分を含まないことが確認されたものに限る。）
ア　分液漏斗
イ　濃縮器
ウ　振とう機
エ　メンブレンフィルター
オ　フラスコ
カ　漏斗
キ　ピペット
ク　クロマト管
内径１０�o及び長さ３００�oのコック付きガラス管
（３）　試験操作
ア　検液の作成
（ア）　試料は、その長さが溶出容器の内径以下となるように裁断したものとする。ただし、木くずは裁断後、ステンレス製の２�oの目のふるいを用いてふるい分けしたものとする。
（イ）　（ア）の試料と溶媒（純水に水酸化ナトリウム又は塩酸を加え、水素イオン濃度指数が５．８以上６．３以下となるようにしたもの）とを重量体積比１０％の割合で容器（硬質ガラス製のもの等ＰＣＢの分析に影響を及ぼすおそれのないものに限る。）内において混合し、かつ、その混合液が２００ｍｌ以上となるようにしたものとする。
（ウ）　（イ）で得られた混合液について、調製後３０分以内に、あらかじめ振とう回数を毎分約２００回に、振とう幅を４�p以上５�p以下に調整した振とう機を用いて、６時間連続して振とうする。
（エ）　（ウ）の操作で得られた混合液について、（ウ）の操作終了後１時間以内に、孔径０．４５μｍのメンブレンフィルターを用いてろ過する。
イ　抽出
（ア）　分液漏斗にア（エ）の操作で得られたろ液及びろ液の入っていた容器の内壁をノルマルヘキサン５０ｍｌで洗浄した洗液を加え（懸濁物が非常に多い試料の場合は、アセトン５０ｍｌを加える。）、約１０分間振り混ぜた後、ノルマルヘキサン層と水層が十分に分離するまで静置する（エマルジョンが生ずる場合は、硫酸を数滴加えて振り混ぜる。）。水層を別の分液漏斗に移し、水層に再びノルマルヘキサン５０ｍｌを加えて同様に抽出を行い、分離したノルマルヘキサン層と先のノルマルヘキサン層を混合する。
（イ）　（ア）の操作で得られたノルマルヘキサン層を硫酸ナトリウム（無水）約１０ｇを用いて脱水した後、濃縮器を用いて２５ｍｌに濃縮する。
ウ　ＤＭＳＯ分配
（ア）　分液漏斗にノルマルヘキサン飽和のＤＭＳＯ２５ｍｌを入れ、これにイの操作で得られた濃縮液を加え、振とう抽出を４回行って得られた合計約１００ｍｌのＤＭＳＯ抽出液に、ノルマルヘキサン４０ｍｌを加え、残存する油分を除去する。
（イ）　分液漏斗にノルマルヘキサン７５ｍｌ及びヘキサン洗浄水１００ｍｌを入れ、（ア）の操作で得られたＤＭＳＯ抽出液約１００ｍｌを加え、振とう抽出を３回行う。
（ウ）　（イ）の操作で得られた合計約２２５ｍｌのノルマルヘキサンを分液漏斗に入れ、２ｍｏｌ／ｌ水酸化カリウム水溶液１０ｍｌによる洗浄を行う。更に、水２５ｍｌで２回洗浄し、硫酸ナトリウム（無水）で脱水した後、濃縮器で１ｍｌに濃縮する。
備考
炭化水素類等が大量に入ってくることのない試料については、ＤＭＳＯ分配は省略することができる。
エ　硫酸処理及びシリカゲルカラムクロマトグラフ処理
（ア）　ウ（ウ）の操作で得られた濃縮液をノルマルヘキサン５０ｍｌ以上１５０ｍｌ以下で洗浄しながら分液漏斗に移し入れ、濃硫酸を適量加える。穏やかに振とうし、静置した後、硫酸層を除去する。この操作を硫酸層の着色が薄くなるまで繰り返す。
（イ）　ノルマルヘキサン層をヘキサン洗浄水５０ｍｌずつでほぼ中性になるように洗浄し、硫酸ナトリウム（無水）で脱水した後、濃縮器で約５ｍｌに濃縮し更に窒素気流により約１ｍｌに濃縮する。
（ウ）　クロマト管にシリカゲル３ｇをノルマルヘキサンで湿式充てんし、その上に硫酸ナトリウム（無水）を約１０�o重層する。これに（イ）の操作で得られた濃縮液を移し入れ、ノルマルヘキサン１５０ｍｌを流下させて流出液を得る。
（エ）　流出液は濃縮器で約１ｍｌに濃縮し、必要に応じて更に濃縮する。
オ　ガスクロマトグラフによる分析
エの操作で得られた試料溶液を水質環境基準の付表３の３（ウ）に定める方法によりガスクロマトグラフに注入して分析し、次に掲げる式により検液中のＰＣＢ濃度（�r／ｌ）を求める。
●ＰＣＢ濃度（�r／ｌ）＝ＰＣＢ標準液の濃度（�r／ｌ）×ＰＣＢ標準液注入量（μｌ）試料溶液注入量（μｌ）×ΣＣＢ↓２（％）ΣＣＢ↓０（％）×試料溶液の量（ｍｌ）検液の量（ｍｌ）●
（４）　判定
（３）で求めた検液中のＰＣＢ濃度が０．００３�r／ｌ以下であること。
備考
この試験方法における用語、試薬、器具及び装置その他の事項でこの試験方法に定めがないものについては、水質環境基準の付表３に定めるところによる。